Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 50А; 74Вт; VSONP8; 5x6мм

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: CSD18514Q5AT
83,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD18514Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: VSONP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 74Вт
Розміри: 5x6мм
Струм стока: 50А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±10%; THT

3,27 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Резистор: thin film; 34,8кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 34,8кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

1,68 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 1mm
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 1mm

62,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина контакту:
2мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Провід; 3x30AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu; тросик
Провід; 3x30AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu; тросик

81280,51 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

299,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
14,2мм
Акум: Li-Ion; 3500мАг; 3,6В; гніздо USB; Ø18,7x72мм; 8А
Акум: Li-Ion; 3500мАг; 3,6В; гніздо USB; Ø18,7x72мм; 8А

361,76 грн

Виводи:
гніздо USB
Властивості акумуляторів:
PCM; високий +
Ємність:
3500мАг
Зовнішні розміри:
Ø18,7x72мм
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD