1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 46,2Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 46,2Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO60N04T1
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO60N04T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 46,2Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кристал; 16,384МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 16,384МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±30ppm

9,95 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thin film; 68,1Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 68,1Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 6,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 6,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; NS; 150В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; NS; 150В

0,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,55 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА

1359,61 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,25А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD