Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; Idm: 160А; 104Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: DMT4005SCT
82,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMT4005SCT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 49,1нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 85А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 20В; If: 200Аx2; TO240AA
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 20В; If: 200Аx2; TO240AA

3099,98 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
TO240AA
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 50ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 50ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%

6,91 грн

Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Діаметр:
6,3мм
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; DPDT; 0,1A/30ВDC; прозорий; LP4; THT
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; DPDT; 0,1A/30ВDC; прозорий; LP4; THT

148,89 грн

Виводи:
для друку
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Колір кнопки:
прозорий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 6÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1А; SIP3; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 6÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1А; SIP3; THT

507,48 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
6...72В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 3,3В; SMD; DO213AB,MELF glass; 100мкА
Діод: зенера; 1Вт; 3,3В; SMD; DO213AB,MELF glass; 100мкА

171,06 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Резистор: thick film; 187кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 187кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

871,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP