Транзистор: N-MOSFET; польовий; 415В; 0,13А; 2,5Вт; SOT223

Немає в наявності
Код товару: CPC5603CTR
98,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CPC5603CTR
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 415В
Опір в стані провідності: 14Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 0,13А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 150мОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150мОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

4,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 15кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 56мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CS; -55÷155°C

7,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 100В; 4,1А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 100В; 4,1А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

56,39 грн

Зворотна напруга макс.:
90В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт

338,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
26,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 340А; 75Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 340А; 75Вт; DPAK

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
SOT223