Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13,86А; Idm: 88А; 190Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: STW32NM50N
363,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW32NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 62,5нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 190Вт
Струм стока: 13,86А
Струм стоку в імпульсі: 88А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe  потужності; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 100А
Реле: електромагнітнe потужності; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 100А

814,12 грн

Зовнішні розміри:
38x33x41,5мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
100А
Матеріал контакту:
AgSnO2
Недоступний
Резистор: metal film; 270кОм; THT; 3Вт; ±5%; 750В; 16,7x5,2мм
Резистор: metal film; 270кОм; THT; 3Вт; ±5%; 750В; 16,7x5,2мм

4,88 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
16,7x5,2мм
Кількість в наборі/упаковці:
500шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 8,45кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 8,45кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 13А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 13А

43,72 грн

Alias:
SL 5.00/04/135 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
15,5мм
Із заземленням; M20; 1,5; IP68; латунь; SKINTOP®
Із заземленням; M20; 1,5; IP68; латунь; SKINTOP®

423,21 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
із заземленням
Вживання кабельних аксесуарів:
для екранованих проводів
Вид різьблення:
метрична
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 180Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
180Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD