Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 19А; 34Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: SIHA20N50E-E3
83,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHA20N50E-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 19А
Тип транзистора: N-MOSFET
Плата: універсальна; прототипна,контактна; W: 42мм; L: 175мм
Плата: універсальна; прототипна,контактна; W: 42мм; L: 175мм

320,58 грн

Властивості паяльного обладнання:
можна об'єднувати у великі модулі
Діаметр отвору:
0,8мм
Довжина:
175мм
К-ть контактних полей:
640
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 100V

196,40 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,плоський; Ключ: 26мм
Наконечник ключа; динамометрична,плоський; Ключ: 26мм

1965,28 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; плоський
Використання інструментів:
динамометричний ключ
Розмір гнізда тримача - мм:
14x18мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 250V

546,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл