Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 19А; 34Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: SIHA20N50E-E3
83,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHA20N50E-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 19А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 511Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 511Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
511Ом
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 18бит; 240sps; 2,7÷5,5В; SOIC8; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 18бит; 240sps; 2,7÷5,5В; SOIC8; туба

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,4пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 64кБ; 16кБSRAM; QFN-S28; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 64кБ; 16кБSRAM; QFN-S28; 3÷3,6ВDC; DSPIC

323,11 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMAC x8; PMP; PoR; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1073,24 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
IC: цифровий; буфер,відвертаючий; Ch: 6; CMOS; SMD; SO16; -55÷125°C
IC: цифровий; буфер,відвертаючий; Ch: 6; CMOS; SMD; SO16; -55÷125°C

25,34 грн

Вид об'єднаної схеми:
буфер; відвертаючий
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
6
Корпус:
SO16
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

871,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP