Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,1А; Idm: 10А; 83Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHFU420A-GE3
19,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 75
Код товару: SIHFU420A-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 2,1А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 170В; QFN3X3; SMD; 20А; SIDACtor®; UBO: 220В
Тиристор: TSS; Urmax: 170В; QFN3X3; SMD; 20А; SIDACtor®; UBO: 220В

33,26 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
broadband equipment
Зворотна напруга макс.:
170В
Корпус:
QFN3X3
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

2223,14 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805

13,30 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
47нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 348Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 348Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
348Ом
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V

20,27 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
4мм
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 216МГц; LQFP100; 1,7÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 216МГц; LQFP100; 1,7÷3,6ВDC

267,36 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DSP; FPU; hardware encryption; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; TRNG; watchdog
Інтерфейс:
CAN; FMC; I2C x3; QUAD SPI; SAI x 2; SDMMC; SPI x4; UART x4; USART x4; USB OTG
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
79нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 51А; Idm: 161А; 362Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 51А; Idm: 161А; 362Вт

679,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
70нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
91нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT