Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,6А; 26,4Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPA50R800CEXKSA2
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPA50R800CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26,4Вт
Струм стока: 2,6А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Варистор: багатошарові; SMD; 1812; 23ВAC; 26ВDC; 600А; 57В; 8Дж
Варистор: багатошарові; SMD; 1812; 23ВAC; 26ВDC; 600А; 57В; 8Дж

34,91 грн

Енергія E10/1000мкс:
8Дж
Корпус - дюйм:
1812
Монтаж:
SMD
Напруга варистора:
57В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; SMT; 3A; 250V

409,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 35В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 35В; X5R; ±10%; SMD; 0402

1,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 23,5x22x12,6мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; ±20%; 23,5x22x12,6мм

746,33 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
23,5x22x12,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 2,74кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 75нс; thinSMA; Ufmax: 1,7В
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 75нс; thinSMA; Ufmax: 1,7В

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
супер швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Недоступний
Антена: комунікаційна; ISM; лінійна; 50Ом; 863÷928МГц; IPEX
Антена: комунікаційна; ISM; лінійна; 50Ом; 863÷928МГц; IPEX

151,42 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
ISM
Довжина кабелю:
0,15м
Імпеданс:
50Ом
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 8А; 63Вт; TO251

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO262

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 50А; 690Вт; TO247-3; 250нс

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB

285,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 200В; 140А; 520Вт; TO3P

600,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
127нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 90А; 150Вт; TO220AB; 37нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
42нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 30А; 170Вт; TO220AB; 82нс

349,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
21нКл