1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; Idm: 88А; 265Вт; TO247-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; Idm: 88А; 265Вт; TO247-3
Немає в наявності
Код товару: APT5024BFLLG
523,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5024BFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 265Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 88А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,8кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; angled; 3x3
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; angled; 3x3

8,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
13,8мм
Електричний монтаж:
THT
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1+N

987,08 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Електрична стійкість:
10000 цикли
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 36мФ; 40ВDC; Ø36x82мм; Растр: 12,8мм
Конденсатор: електролітичний; 36мФ; 40ВDC; Ø36x82мм; Растр: 12,8мм

642,42 грн

Alias:
A390FH363M040A
Виводи:
болтове
Висота:
82мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; CQ; 50В

0,83 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 510Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 510Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD