Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: IPB50R140CPATMA1
83,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB50R140CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,14Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 3,1А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 100мкГн; 180мА; R: 1,538Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 100мкГн; 180мА; R: 1,538Ом; ±20%; LQH

8,55 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1812
Контакт; штекерний; промислова; сплав міді; посріблений; 2,5мм2
Контакт; штекерний; промислова; сплав міді; посріблений; 2,5мм2

50,05 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
затискання
Резистор: thick film; 100Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 100Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

3,80 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 4G0,75мм2; тросик; Cu; чорний
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 4G0,75мм2; тросик; Cu; чорний

184,36 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 10ВDC; Ø5x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 10ВDC; Ø5x11мм; ±20%

0,51 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

270,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 3N; plug-in; L: 32mm
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 3N; plug-in; L: 32mm

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2,5мм
Довжина:
32мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD