Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30А; Idm: 120А; 329Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT5016BLLG
724,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5016BLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 329Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 898Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 898Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 49,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 49,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
LED; у корпусі; червоний; К-ть діодів: 2; 3,9мм; 20мА; 60°; 1,2÷4мкд
LED; у корпусі; червоний; К-ть діодів: 2; 3,9мм; 20мА; 60°; 1,2÷4мкд

63,99 грн

Голівка:
увігнута
Діаметр діода ДУВ:
3,9мм
Довжина хвилі λd:
660нм
Кількість діодів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 887Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 887Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; soldering
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; soldering

250,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,41мм
Електричний монтаж:
паяння
Резистор: metal film; 680Ом; SMD; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 3,5мм
Резистор: metal film; 680Ом; SMD; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 3,5мм

1,19 грн

Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
SMD
Опір:
680Ом
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 0,125Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 0,125Вт; ±1%; CQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3

261,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт

243,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
GC (TO247AD); TO247AD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А

454,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
183нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А

166,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247PLUS
Монтаж:
THT