Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP3N50D2
227,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP3N50D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 1,07мкКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 24нс
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 84МГц; LQFP64; 1,7÷3,6ВDC; STM32F4
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 84МГц; LQFP64; 1,7÷3,6ВDC; STM32F4

257,86 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
I2C x3; I2S x2; SDIO; SPI x4; USART x3; USB OTG
Кількість входів/виходів:
50
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Резистор: thin film; 133Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 133Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC

31,68 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Кількість пін:
4
Конструкція:
одна обмотка
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷250В; 40÷72Гц; Uмакс: 250В; 96x96мм
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷250В; 40÷72Гц; Uмакс: 250В; 96x96мм

1794,86 грн

Вимір:
напруги AC
Властивості шкали:
робоче положення 60°
Діапазон вимірювання напруги AC:
0...250В
Довжина шкали:
97мм
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 20Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
20Ом
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 35ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 35ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%

31,68 грн

Висота:
11,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT