1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Немає в наявності
Код товару: IRF840LPBF
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: IRF840LPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: I2PAK; TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 5,1А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 34Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HP; 75В
Резистор: thick film; 34Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HP; 75В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 0.6m; 1.5A
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 0.6m; 1.5A

1839,84 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP20; IP67
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812

83,63 грн

Alias:
C1812C101JHGAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Threading die: inch tubular; NPTF 1/4"; 18; high speed steel
Threading die: inch tubular; NPTF 1/4"; 18; high speed steel

6882,29 грн

Type of threading die:
inch tubular
Вид різьблення:
NPTF; конусна; права
Висота:
14мм
Відповідність стандарту:
DIN 223; DIN EN 22568
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x82мм; ±20%; ALS31
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x82мм; ±20%; ALS31

889,51 грн

Виводи:
болтове
Висота:
82мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Діаметр:
36мм
Недоступний
Свердло; кернові; Ø: 34мм; L: 84мм; сталь; weldon; 3/4"
Свердло; кернові; Ø: 34мм; L: 84мм; сталь; weldon; 3/4"

4185,89 грн

Вид рукоятки:
weldon
Використання інструментів:
алюміній; бронза; нержавіюча сталь; пластмаса; сталь
Глибина свердління:
макс. 50мм
Діаметр свердла:
34мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6