Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5А; 54Вт; FB (TO252AA)

Немає в наявності
Код товару: P5B50HP2F-5071
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P5B50HP2F-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10,5нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1,65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54Вт
Струм стока: 5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 26,5ВDC; DPDT; THT; 700Ом; 4мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 26,5ВDC; DPDT; THT; 700Ом; 4мс

7531,05 грн

Конфігурація контактів:
DPDT
Монтаж:
THT
Напруга котушки:
26,5В DC
Номінальна напруга котушки:
26,5В DC
Мікроперемикач SNAP ACTION; 3A/250ВAC; 2A/30ВDC; з важелем; SPDT
Мікроперемикач SNAP ACTION; 3A/250ВAC; 2A/30ВDC; з важелем; SPDT

26,61 грн

Виводи:
для друку; прямі
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
13,25мм
Електрична стійкість:
30000 цикли
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; straight

31,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,9мм; 15пФ; ±50ppm; Вим: 3,2x2,5мм; -40÷85°C
12МГц; SMD; 3,2x2,5x0,9мм; 15пФ; ±50ppm; Вим: 3,2x2,5мм; -40÷85°C

47,52 грн

Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
3,2x2,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50ВDC; NP0; ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50ВDC; NP0; ±2%; SMD; 0603

0,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
NP0
Допуск:
±2%
Ємність:
0,1нФ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; неекранований; вилка; 60В; 4А; Nano
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; неекранований; вилка; 60В; 4А; Nano

2965,67 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 2,5кВ; Uce: 40В; SSOP4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 2,5кВ; Uce: 40В; SSOP4

0,00 грн

CTR@If:
200-2000%@1mA
Вид виходу:
Darlington
Кількість каналів:
1
Корпус:
SSOP4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK