Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,9А; 42Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDPF12N50T
104,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,65Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 6,9А
Технологія: UniFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В

86,80 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; 3м; 60ВDC; 50ВAC; 4А; 7000; PUR; IP67
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; 3м; 60ВDC; 50ВAC; 4А; 7000; PUR; IP67

1089,71 грн

Довжина кабелю:
3м
Застосування проводів:
промислові мережі EtherCAT Power
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; -55÷155°C; 100ppm/°C

105,17 грн

Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Опір:
20кОм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 14бит; 250кsps; 2,7÷5,5В; VSSOP10
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 14бит; 250кsps; 2,7÷5,5В; VSSOP10

0,00 грн

Max DNL:
±0,95LSB
Max INL:
±0,95LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
differential
Недоступний
Резистор: thin film; 33,2Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 33,2Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,29 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI 2,NFC; 200Вт; 143÷286ВDC
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI 2,NFC; 200Вт; 143÷286ВDC

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
143...286В DC
Вихідний струм:
0,7...1,05А
Недоступний
Резистор: metal film; 54,2кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 54,2кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96Вт; TO220-3

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 80А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 80А; 30Вт; TO220FP

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,7нКл
Корпус:
TO220AB