Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6А; 300Вт; TO220AB; 64нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP6N50D2
650,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 64нс
Недоступний
Резистор: thin film; 255Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 255Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12 ALTW; код A; Блокування: що скручуються
Кабель: до датчиків; M12 ALTW; код A; Блокування: що скручуються

654,46 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Конструкція кабелю/переходу:
M8 "мама" 4pin; M12 "папа" 4pin
Поляризація:
код A
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206

66,52 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Резистор: thick film; 13,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 13,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Резистор: thick film; 3,92кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,92кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В

0,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 600В; 82А; 1560Вт; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 600В; 82А; 1560Вт; 300нс

696,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
275нКл
Корпус:
PLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; 35Вт; TO220FP

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 46А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 46А; 520Вт; TO247AC

713,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
362нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO220-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 42Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 42Вт; TO251

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50,5нКл
Корпус:
TO220F