Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,3Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS138Q-7-F
10,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS138Q-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
18...18,96В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В

1237,33 грн

Довжина проводу:
7,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; 40мкА; туба
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; 40мкА; туба

63,17 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 128кБEEPROM; I2C; 16Кx8бит; TDFN8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 128кБEEPROM; I2C; 16Кx8бит; TDFN8; послідовний

25,79 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
TDFN8
Мірник: мультіметр цифровий; ВAC: 600мВ,6В,60В,600В,1кВ; IP67
Мірник: мультіметр цифровий; ВAC: 600мВ,6В,60В,600В,1кВ; IP67

19351,27 грн

Батарея/акумулятор:
батарея AA 1,5В x3
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
активної провідності; ємкості; напруги AC; напруги DC; резистансу; струму AC; струму DC; температури; частоти
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл