Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,3Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS138Q-7-F
10,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS138Q-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель; USB 2.0; USB A вилка,USB B вилка; нікельований; 1,8м
Кабель; USB 2.0; USB A вилка,USB B вилка; нікельований; 1,8м

91,23 грн

Довжина кабелю:
1,8м
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB A вилка; USB B вилка
Модель:
USB 2.0
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
18...18,96В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

5,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS

35,48 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А

785,61 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
3; 4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,4А; 1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,4А; 1Вт; SO8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4

318,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
PG-VSON-4
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
PQFN2X2