1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS138LT3G
16,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS138LT3G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 240кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 240кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
240кОм
Діод: випрямний; THT; 100В; 75мА; Ifsm: 500мА; DO35; Ammo Pack; 4нс
Діод: випрямний; THT; 100В; 75мА; Ifsm: 500мА; DO35; Ammo Pack; 4нс

5,70 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Ємність:
2,5пФ
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний; 3,3÷5В; 1А; SO8; SMD; ±5%
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний; 3,3÷5В; 1А; SO8; SMD; ±5%

0,00 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний
Вихідна напруга:
3,3...5В
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
0...5,5В
Недоступний
Насадка: Torx®-bit; T25; 1/2"; 55мм; хром-ванадієва сталь; хром
Насадка: Torx®-bit; T25; 1/2"; 55мм; хром-ванадієва сталь; хром

1053,60 грн

Довжина насадки:
55мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Матеріал покриття:
хром
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Недоступний
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 12ВDC; 23,46м3/г; 10,7дБА
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 12ВDC; 23,46м3/г; 10,7дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
ковзання
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,27 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,51нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SC89; SOT563