1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS225H6327FTSA1
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT89
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 90мА
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thin film; 127Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 127Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 100мкФ; 35ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 100мкФ; 35ВDC; ±20%

53,85 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1нФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 60В; 120А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 60В; 120А; Idm: 480А

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
TO262
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 500мА; R: 0,4Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 500мА; R: 0,4Ом; ±10%; LQH

8,43 грн

Високосортність:
30
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
4,7мкГн
Недоступний
Модуль: тиристорний; пушпульна x2; 1,6кВ; 101А; T63; SEMITOP3
Модуль: тиристорний; пушпульна x2; 1,6кВ; 101А; T63; SEMITOP3

6414,73 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMITOP3
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

363,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK

257,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
407нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,8нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В