Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 33А; 125Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: FCP11N60F
174,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FCP11N60F
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 33А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 28,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 28,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/250ВAC; без важеля; SPDT; Поз: 2
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/250ВAC; без важеля; SPDT; Поз: 2

95,67 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
без важеля
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0201; 180мм

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

133,68 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 29,1кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 29,1кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А

21,60 грн

Alias:
SL-SMT 5.00HC/02/90 3.2SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
11,7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл