Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 25Вт; TO220FP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STF13NM60ND
228,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STF13NM60ND
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 44А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; A2000; 30А
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; A2000; 30А

392,80 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Кількість пін:
24
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; 125ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; 60.13
Реле: електромагнітнe; 125ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; 60.13

1531,30 грн

Зовнішні розміри:
36,4x32,5x54,2мм
Конфігурація контактів:
3PDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgNi + Au
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 309кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 309кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thin film; 1МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

13,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 22мкГн; R: 1,7Ом; ±10%; LB; -40÷105°C
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 22мкГн; R: 1,7Ом; ±10%; LB; -40÷105°C

2,83 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
22мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл