Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; 24Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: IPA60R280P7SXKSA1
95,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPA60R280P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 214мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 24Вт
Струм стока: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

5,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; QuadroMELF; Ubr: 53,2В
Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; QuadroMELF; Ubr: 53,2В

1448,30 грн

Зворотна напруга макс.:
300В
Кількість каналів:
1
Корпус:
QuadroMELF
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
TO3PN
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC

3734,17 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
0,1А
Недоступний
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A

369,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Діод: випрямний; 1,8кВ; 400А; анод на болті; E17; M24x1,5; 1,45В
Діод: випрямний; 1,8кВ; 400А; анод на болті; E17; M24x1,5; 1,45В

17075,54 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ізольований тросик - силіконовий рукав
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
E17
Монтаж:
гвинтовий
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA

299,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт

415,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF

496,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
TO3PF