1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 52А; 45Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 52А; 45Вт; TO220FP
Немає в наявності
Код товару: TK430A60F,S4X(S
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 850
Крок додавання: 850
Код товару: TK430A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,43Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 52А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10

87,43 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,8...4,5В; 3,3В DC
Вихідний струм:
0,3...0,5А
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; М12 прямий "мама",з обох сторін
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; М12 прямий "мама",з обох сторін

6050,44 грн

Довжина кабелю:
50м
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 240кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 240кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
240кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; AS; 150В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; AS; 150В

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷7мм; 10÷30ВDC; 5м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷7мм; 10÷30ВDC; 5м; IP67

5646,23 грн

Дальність:
0...7мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NO
Недоступний
Резистор: thin film; 18Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 18Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

2,17 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,95 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

462,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO3P
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А

209,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB