1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIHF22N60E-GE3
251,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHF22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 86нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
0,15нФ
Реактор: феритовий; 470мкГн; 980мА; R: 630мОм; ±10%
Реактор: феритовий; 470мкГн; 980мА; R: 630мОм; ±10%

57,02 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,47мГн
Опір:
0,63Ом
Робочий струм:
0,98А
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 44МГц; Ch: 2; VSSOP8; Iбез навант: 9мА
IC: Oпераційний підсилювач; 44МГц; Ch: 2; VSSOP8; Iбез навант: 9мА

259,12 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

2,90 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5Ом; THT; TO220; 30Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5Ом; THT; TO220; 30Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

183,73 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 6,81кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,81кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 600В; 82А; 1560Вт; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 600В; 82А; 1560Вт; 300нс

696,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
275нКл
Корпус:
PLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; 35Вт; TO220FP

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 46А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 46А; 520Вт; TO247AC

713,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
362нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO220-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 42Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 42Вт; TO251

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50,5нКл
Корпус:
TO220F