Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 80А; 170Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: STW27N60M2-EP
210,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW27N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 33нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 170Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X7S; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X7S; ±20%; SMD; 0603

2,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Знімач для підшипників; двостулковий; Різьба: G 3/4"; W: 250мм
Знімач для підшипників; двостулковий; Різьба: G 3/4"; W: 250мм

12635,60 грн

Глибина:
200мм
Здатн. навантаження:
max. 7500кг
Модель:
двостулковий
Різьба:
G 3/4"
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39,2Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1.15mm; GKS-101; CuBe; 1.5N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1.15mm; GKS-101; CuBe; 1.5N; push-in

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±20%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±20%

16,47 грн

Вид конденсатора:
X2
Вид упаковки:
ролик
Допуск:
±20%
Ємність:
0,1мкФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл