Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 43А; 179Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB150N60E-GE3
120,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHB150N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 137мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 43А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 25МГц; LQFP80; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6В
IC: мікроконтролер MSP430; 25МГц; LQFP80; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6В

273,06 грн

Вид архітектури:
MSP430
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART
Кількість каналів PWM:
4
Кількість таймерів 16бит:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,2пФ
IC: цифровий; NOR; Ch: 2; IN: 2; CMOS; SMD; VSSOP8; 1,65÷5,5ВDC; 10мкА
IC: цифровий; NOR; Ch: 2; IN: 2; CMOS; SMD; VSSOP8; 1,65÷5,5ВDC; 10мкА

20,27 грн

Вид затвору:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
dual; 2
Корпус:
VSSOP8
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 30; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 30; THT; straight

31,04 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 18В; DO41; 50нА; Ufmax: 1В
Діод: зенера; 1,5Вт; 18В; DO41; 50нА; Ufmax: 1В

1829,07 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
18В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; CRGP

4,43 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: інтерфейс; 250Мбіт/с; LVCMOS,LVTTL; 3÷3,6ВDC; LVDS; SMD; WQFN32
IC: інтерфейс; 250Мбіт/с; LVCMOS,LVTTL; 3÷3,6ВDC; LVDS; SMD; WQFN32

455,53 грн

Вид об'єднаної схеми:
інтерфейс лінії; контролер лінії; лінійний приймач
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
differential; low power
Інтерфейс:
LVDS
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD