Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 80А; 266Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: AOB20S60L
107,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: AOB20S60L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 19,8нКл
Корпус: TO263
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 530мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 266Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Запобіжник: термічний; 18,7x18,7x39,5мм; 8А; Iмакс: 1кА; 125В,250В
Запобіжник: термічний; 18,7x18,7x39,5мм; 8А; Iмакс: 1кА; 125В,250В

169,16 грн

Максимальна напруга:
1,5кВ AC
Максимальний струм:
1кА
Номінальна напруга:
32В DC; 0,125кВ; 0,25кВ
Номінальний струм:
8А
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; 160А; 280x140x170мм
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; 160А; 280x140x170мм

0,00 грн

Вид фільтру:
трифазний
Потужність розсіювання:
32Вт
Растр монтажних отворів:
230x153,5мм
Робоча напруга:
530В AC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

557,53 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
67мА
Вхідна напруга:
9...18В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 1,16А; 70Вт; DPAK; ESD

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 127А; 375Вт; D2PAK

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,125А; 360мВт; SOT23,TO236AB

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,51нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 51,6А; Idm: 100А

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 12,5Вт; DFN5x6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 63Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; Idm: 2А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SC89; SOT563