Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 80А; 415Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT23F60B
373,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT23F60B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 110нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,29Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 415Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: wire-board; plug; female; data; MAS-CON; PIN: 9; 3.96mm
Connector: wire-board; plug; female; data; MAS-CON; PIN: 9; 3.96mm

40,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
9
Недоступний
Резистор: thin film; 106Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 106Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,62кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,62кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Аксесуари: захисна кришка; -65÷105°C; прямий; 2,54мм; чорний
Аксесуари: захисна кришка; -65÷105°C; прямий; 2,54мм; чорний

65,89 грн

Колір:
чорний
Матеріал:
термопласт
Матеріал корпусу:
термопласт
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 3А; 120нс; SMPC,TO277A; Ufmax: 1,9В
Діод: випрямний; SMD; 800В; 3А; 120нс; SMPC,TO277A; Ufmax: 1,9В

19,26 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
SMPC; TO277A
Монтаж:
SMD
Блок живлення: імпульсний; LED; 100Вт; 24ВDC; 4,17А; 180÷305ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; 100Вт; 24ВDC; 4,17А; 180÷305ВAC

1250,64 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
4,17А
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 562Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 562Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB