Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 179Вт; D2PAK,TO263

Немає в наявності
Код товару: SIHB18N60E-GE3
114,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHB18N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; VQFN44; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; VQFN44; 2,7÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,5мм

199,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog; резонатор 32кГц для RTC
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
32
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

5,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; QuadroMELF; Ubr: 53,2В
Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; QuadroMELF; Ubr: 53,2В

1448,30 грн

Зворотна напруга макс.:
300В
Кількість каналів:
1
Корпус:
QuadroMELF
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
TO3PN
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC

3734,17 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
0,1А
Недоступний
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263