1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт; TO220AB
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIHP100N60E-GE3
205,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP100N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 19А
Струм стоку в імпульсі: 73А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; 0402

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 1.5A

136,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Діод: TVS; 7,5В; 53,1А; двоспрямована; DO15,DO204AC; 600Вт; P6KE
Діод: TVS; 7,5В; 53,1А; двоспрямована; DO15,DO204AC; 600Вт; P6KE

27,88 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
6,4В
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 25,7В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 0,5кВт; 25,7В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

599,34 грн

Зворотна напруга макс.:
20,6В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
25,7В
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 82мкФ; 200ВDC; Ø16x25мм; 2500г
Конденсатор: електролітичний; THT; 82мкФ; 200ВDC; Ø16x25мм; 2500г

201,47 грн

Виводи:
осьові
Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
-10...30%
Недоступний
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Резистор: thin film; 68кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,5%; ARG; 50В
Резистор: thin film; 68кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,5%; ARG; 50В

0,63 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

432,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 9,7А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 9,7А; 150Вт; TO247AC

161,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 49А; 83Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 49А; 83Вт; TO220AB

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; TO220-3

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT