1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 117Вт; PG-TO247-4

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 117Вт; PG-TO247-4
Немає в наявності
Код товару: IPZA60R099P7XKSA1
322,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPZA60R099P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: PG-TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 117Вт
Струм стока: 20А
Технологія: CoolMOS™ P7
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; 0,6мм
Конденсатор: керамічний; 150пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; 0,6мм

0,84 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,15нФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
50В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,5МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Tap: metric; M1,7; right hand thread; 0.35; L: 32mm; finishing
Tap: metric; M1,7; right hand thread; 0.35; L: 32mm; finishing

193,87 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 168,9Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 168,9Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
84нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 82мкГн; 70мА; R: 6,2Ом; ±5%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 82мкГн; 70мА; R: 6,2Ом; ±5%; LQH; 180мм

4,56 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
82мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 22,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 22,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,18Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 1,18Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB