Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 227Вт; TO247AC

Немає в наявності
Код товару: SIHG22N60E-E3
141,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 25
Код товару: SIHG22N60E-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 21А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 64МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; TQFP64; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 64МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; TQFP64; PIC18

287,63 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog
Генератор вбудований:
31кГц; 500кГц; 16МГц
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

65,26 грн

Alias:
C0603C103F3GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ключ: Torx®-набір; TX10,TX15,TX20,TX25,TX30; 5шт.
Ключ: Torx®-набір; TX10,TX15,TX20,TX25,TX30; 5шт.

2257,35 грн

Властивості ключів:
ключі чорнені
Кількість в наборі/упаковці:
5шт.
Різновид рукоятки:
L
Розмір ключа:
TX10; TX15; TX20; TX25; TX30
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 1.5A

485,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
4,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68нФ
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 50ВDC; Ø8x10,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 50ВDC; Ø8x10,5мм; ±20%

12,92 грн

Висота:
10,5мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А

1210,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
174нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30,8нКл
Корпус:
TO220-3