Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; Idm: 96А; 227Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP080N60E-GE3
144,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHP080N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 96А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RK73G; 75В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RK73G; 75В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 422кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 422кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 931Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 931Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 370Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 370Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 3,3МОм; SMD; MELF; 0207; 400мВт; ±1%; 300В
Резистор: thin film; 3,3МОм; SMD; MELF; 0207; 400мВт; ±1%; 300В

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Довжина:
5,8мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл