Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 24А; Idm: 112А; 278Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT38N60BC6
391,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT38N60BC6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 112нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 112А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 2,61кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 2,61кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА

452,99 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Роз’єм: плата-плата; гніздо; гніздовий; Покриття: позолочений
Роз’єм: плата-плата; гніздо; гніздовий; Покриття: позолочений

208,44 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
26
Максимальний струм:
1,3А
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 6A/250ВAC; RM699B
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 6A/250ВAC; RM699B

264,19 грн

Зовнішні розміри:
28x5x15мм
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
18В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 8,25кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 8,25кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; angled; 2x12
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; THT; angled; 2x12

41,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 15,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 15,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO247-3

499,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO3P

536,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1,2кВ; 2,4А; Idm: 6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1,2кВ; 2,4А; Idm: 6А; 125Вт

442,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
37нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 230А; 650Вт; TO247-3; 82нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 230А; 650Вт; TO247-3; 82нс

486,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
250нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 360А; 1250Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 360А; 1250Вт; PLUS247™

659,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
525нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 357Вт; TO247-3; 160нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 357Вт; TO247-3; 160нс

441,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
linear power mosfet
Заряд затвора:
103нКл
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 250В; 150А; Idm: 300А
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 250В; 150А; Idm: 300А

729,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
154нКл