Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1,2кВ; 2,4А; Idm: 6А; 125Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP2R4N120P
442,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 7,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 2,4А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Технологія: Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 920нс
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 24; THT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 24; THT; straight

24,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
8,5мм
Електричний монтаж:
THT
Провід; ÖLFLEX® HEAT 125 SC; 1x2,5мм2; тросик; Cu; помаранчевий
Провід; ÖLFLEX® HEAT 125 SC; 1x2,5мм2; тросик; Cu; помаранчевий

100,10 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму; сертифікат DNV
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Резистор: thin film; 29,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 29,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

15,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 330мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 330мА

1211,35 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,33А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 193Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 193Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; 500В; 3А; 27Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 500В; 3А; 27Вт; TO220FP

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт

1215,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
236нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

829,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
287нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 139А; Idm: 818А; 214Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 139А; Idm: 818А; 214Вт

302,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
133,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220AB