1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1,2кВ; 2,4А; Idm: 6А; 125Вт

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1,2кВ; 2,4А; Idm: 6А; 125Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP2R4N120P
442,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 7,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 2,4А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Технологія: Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 920нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V

63,99 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,1мм
Недоступний
Резистор: thin film; 29,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 29,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

15,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 67А; Idm: 320А; 170Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 67А; Idm: 320А; 170Вт; TO220AB

97,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
109нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 310Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 310Вт; TO220-3

207,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт

908,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
137нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
IPAK