Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 24А; Idm: 96А; 250Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: AOT160A60L
75,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOT160A60L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 96А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 220кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,25%; TC; 75В
Резистор: thin film; 220кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,25%; TC; 75В

1,10 грн

Допуск:
±0,25%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 5,6кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 5,6кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 6,65кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В
Резистор: thick film; 6,65кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 1,2кВ; 8А; DPAK; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 150А; туба
Діод: випрямний; SMD; 1,2кВ; 8А; DPAK; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 150А; туба

136,21 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Кількість в наборі/упаковці:
75шт.
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRGCQ
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRGCQ

4,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 1,8мкс; SOD123W; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 1,8мкс; SOD123W; Ufmax: 1,1В

8,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SOD123W
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT