Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; Idm: 160А; 300Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: STW48N60DM2
326,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW48N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 4,42Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,42Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

2,10 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thin film; 7,32кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 7,32кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,45 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thin film; 328Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 328Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 953Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 953Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; HV; 800В
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; HV; 800В

2,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1,5кВ
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,2пФ
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; R: 61мОм; ±20%; 4,5А; ферит; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; R: 61мОм; ±20%; 4,5А; ферит; H: 5мм

34,91 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,21мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

26,61 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD