Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 300мА; Idm: 0,189А; 3Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STQ1NK60ZR-AP
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STQ1NK60ZR-AP
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: Ammo Pack
Заряд затвора: 4,9нКл
Корпус: TO92 Formed
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 0,3А
Струм стоку в імпульсі: 0,189А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; RT1; макс.250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; RT1; макс.250ВAC

0,00 грн

Висота:
15,7мм
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
16А
Резистор: thick film; 3,3кОм; 800мВт; 5x2,49x0,51мм
Резистор: thick film; 3,3кОм; 800мВт; 5x2,49x0,51мм

67,16 грн

Опір:
3,3кОм
Потужність:
0,8Вт
Розміри корпусу:
5x2,49x0,51мм
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; SMD; 1мГн; Iробочий: 150мА; ±20%; Isat: 140мА
Реактор: дротяний; SMD; 1мГн; Iробочий: 150мА; ±20%; Isat: 140мА

14,38 грн

Висота:
3,2мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мГн
Матеріал стержня:
ферит
Діод: випрямний Шотткі; DO214AC; SMD; 30В; 5А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; DO214AC; SMD; 30В; 5А; ролик,cтрічка

15,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,13нФ
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
DO214AC
Недоступний
Резистор: thin film; 3,32кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 3,32кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3300пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3300пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

6,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл