Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 540Вт; TO268; 500нс

Немає в наявності
Код товару: IXTT30N60P
389,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT30N60P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 82нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 540Вт
Струм стока: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 0,5мкс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

18,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; TQFP100; PIC24; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; TQFP100; PIC24; 8кБSRAM

314,24 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMAC x6; EPMP; HLVD; LCD controller; PoR; RTCC; watchdog; XLP; кодування AES/DES
Інтерфейс:
ADC; DAC; FIFO; I2C x3; IrDA; JTAG; LIN; PPS; PWM; RS232; RS485; SPI x4; UART x6; USB OTG
Резистор: thin film; 7,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; CRT
Резистор: thin film; 7,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; CRT

9,88 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Діод: випрямний; THT; 100В; 1,5А; Ifsm: 50А; DO15; Ammo Pack; 1,5мкс
Діод: випрямний; THT; 100В; 1,5А; Ifsm: 50А; DO15; Ammo Pack; 1,5мкс

2,70 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO15
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD