1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 540Вт; TO3P; 500нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 540Вт; TO3P; 500нс
Немає в наявності
Код товару: IXTQ30N60P
488,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 82нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 540Вт
Струм стока: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 0,5мкс
Недоступний
Викрутка: стандартний; 6-гранний ковпачок; HEX 4мм; Gedore Red
Викрутка: стандартний; 6-гранний ковпачок; HEX 4мм; Gedore Red

458,69 грн

Властивості викруток:
двокомпонентний матеріал рукоятки; рукоятка з отвором для підвішування
Довжина леза:
90мм
Загальна довжина:
190мм
Матеріал покриття:
хром
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X5R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 35В; X5R; ±10%; SMD; 1210

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 50В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 50В; DIP6

38,65 грн

CTR@If:
20-300%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 910кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама" кутовий,M8 прямий "папа"
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама" кутовий,M8 прямий "папа"

824,25 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 500В; 30А; 460Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 500В; 30А; 460Вт; TO247-3

575,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3,7А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3,7А; 35Вт; TO220FP

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36А; 150Вт; TO220AB

114,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,26А; Idm: 1,5А; 0,75Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,26А; Idm: 1,5А; 0,75Вт; TO92

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 70Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 70Вт; TO220-3

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 15А; 86Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 15А; 86Вт; TO220-3

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10,5А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10,5А; 31Вт

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT