1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3,7А; 35Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3,7А; 35Вт; TO220FP
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFI630GPBF
145,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFI630GPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 3,7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 14,4÷15,9В; 18,6А; двоспрямована; ±5%; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 14,4÷15,9В; 18,6А; двоспрямована; ±5%; SMA; SMAJ

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
13В
Резистор: дротяний; 39Ом; високовольтний; THT; 2Вт; ±5%; 500В
Резистор: дротяний; 39Ом; високовольтний; THT; 2Вт; ±5%; 500В

7,86 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
високовольтний
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Резистор: thin film; 68,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT
Резистор: thin film; 68,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT

0,79 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 86,6Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 86,6Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

46,88 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 255кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 255кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
IC: Oпераційний підсилювач; 50МГц; Ch: 2; ±2,2÷5,5ВDC; SO8; 0,2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 50МГц; Ch: 2; ±2,2÷5,5ВDC; SO8; 0,2мВ

206,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 66А; Idm: 360А; 115Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 66А; Idm: 360А; 115Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB