1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: R6030JNZ4C13
463,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: R6030JNZ4C13
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 74нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 143мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 370Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Тип транзистора: N-MOSFET
Диференційний вимикач; Iном: 6А; Iдіф: 30мА; Полюси: 4; 400ВAC; IP20
Диференційний вимикач; Iном: 6А; Iдіф: 30мА; Полюси: 4; 400ВAC; IP20

9754,19 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
30мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 01005

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7нФ
Ключ-комплект; 6-гранна,насадковий; 1/2"; 11шт.
Ключ-комплект; 6-гранна,насадковий; 1/2"; 11шт.

1853,78 грн

Вид ключа:
6-гранна; насадковий
Кількість в наборі/упаковці:
11шт.
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Склад комплекту:
6-гранні насадки 1/2"; тріскачка 1/2"
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; CRGP

3,59 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Манометр; 0÷250бар; Клас: 1,6; 100мм; Темп: -20÷60°C; 111.12
Манометр; 0÷250бар; Клас: 1,6; 100мм; Темп: -20÷60°C; 111.12

0,00 грн

Вимір:
тиску
Властивості вимірювальних приладів:
нижнє положення датчика
Діаметр:
100мм
Діапазон вимірювання тиску:
0...250бар
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 100ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 100ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0805

7,92 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
10нФ
Корпус - дюйм:
0805
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 6,3ВDC; THT; ±10%; -55÷125°C; TAP
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 6,3ВDC; THT; ±10%; -55÷125°C; TAP

60,19 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
2,5мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

871,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP