Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 32А; 278Вт; PowerPAK® 8x8L

Немає в наявності
Код товару: SIHR120N60E-T1-GE3
190,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIHR120N60E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,104Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Провід: спіральний; 3G1мм2; неекранований; PUR; білий; 300В,500В
Провід: спіральний; 3G1мм2; неекранований; PUR; білий; 300В,500В

754,56 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Довжина спірального проводу після розтягування:
1,05м
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В
Резистор: thick film; 4,22кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; THT; AM15C-Z
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; THT; AM15C-Z

1843,64 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вхідна напруга:
36...75В DC
Зовнішні розміри:
25,4x25,4x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 45,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 45,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; HQ; 200В

2,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 250В; X8G; ±2%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 250В; X8G; ±2%; SMD; 0603; 180мм

8,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 250В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 250В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0805

5,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,4пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 20А; 4,2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 20А; 4,2Вт; SOT223

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,6нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 31,2А; 70Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 31,2А; 70Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
20,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD