Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 36А; Idm: 200А; 329Вт; TO247

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTHL041N60S5H
510,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTHL041N60S5H
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 108нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 32,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 329Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 324кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 324кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
324кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; TO263; 25Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; TO263; 25Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

276,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 820кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
820кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; AS; 150В
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; AS; 150В

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 25ВDC; Ø6,3x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 25ВDC; Ø6,3x11мм; ±20%

2,61 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Конденсатор: керамічний; 3,9пФ; 25ВDC; C0G (NP0); SMD; 0,33мм
Конденсатор: керамічний; 3,9пФ; 25ВDC; C0G (NP0); SMD; 0,33мм

0,73 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; 3x2x22AWG; ПВХ; хром; 300В; 152м; CPR: Eca; 500футів
Провід; 3x2x22AWG; ПВХ; хром; 300В; 152м; CPR: Eca; 500футів

420,05 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT