Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,6А; Idm: 13,8А; 54Вт; DPAK

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,6А; Idm: 13,8А; 54Вт; DPAK
Brand: ONSEMI
SKU: FCD5N60TM-WS
Price: 52.58 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: FCD5N60TM-WS

52,58 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

FCD5N60TM-WS

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

16нКл

Корпус:

DPAK

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

0,95Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

54Вт

Струм стока:

4,6А

Струм стоку в імпульсі:

13,8А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
DFN3.3x3.3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
DFN3x3 EP

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
153нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-40В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±16В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
50нКл

Корпус:
D2PAK