Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 44А; Idm: 245А; 1135Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: APT66F60L
1143,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT66F60L
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 330нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1135Вт
Струм стока: 44А
Струм стоку в імпульсі: 245А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

1,09 грн

Alias:
KGF21BR71H273KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

94,40 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
15мм
Довжина:
25,23мм
Електричний монтаж:
push-in
Недоступний
Резистор: thin film; 1,4кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,4кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 44,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 44,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RK73H; 200В

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 95,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 95,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 6,2мкГн; ±20%; F; 17,5x16,5x7,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 6,2мкГн; ±20%; F; 17,5x16,5x7,7мм

73,49 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,2мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
17,5x16,5x7,7мм
Connector: wire-board; female; data; Inom: 7A; PIN: 3; 3.96mm; tinned
Connector: wire-board; female; data; Inom: 7A; PIN: 3; 3.96mm; tinned

22,74 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT