1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
Немає в наявності
Код товару: IPD60R600P7ATMA1
84,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD60R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 9нКл
Корпус: PG-TO252-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: CoolMOS™ P7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
576кОм
Роз’єм: провід-плата; вилка; гніздовий; Iном: 2А; PIN: 11; прямий
Роз’єм: провід-плата; вилка; гніздовий; Iном: 2А; PIN: 11; прямий

25,53 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
11
Клас горючості:
UL94V-0
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

3051,19 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,416А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 176Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 176Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 35мА; TO263
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 35мА; TO263

124,18 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD