Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD60R600P7SAUMA1
58,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 9нКл
Корпус: PG-TO252-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: CoolMOS™ P7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 246кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 246кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X7T; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X7T; ±10%; SMD; 0603

3,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 876Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 876Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 1мкФ; 450ВDC; 17,5x16x7,8мм
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 1мкФ; 450ВDC; 17,5x16x7,8мм

45,62 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 144; BergStak; straight; 400mA
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 144; BergStak; straight; 400mA

159,02 грн

Connector family:
data
Висота:
4,3мм
Висота після з'єднання:
4,3мм
Кількість пін:
144
Недоступний
Резистор: thin film; 17,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 17,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 557А; D2PAK-7

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
LFPAK33; SOT1210