1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; D2PAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; D2PAK
Немає в наявності
Код товару: STB10NK60ZT4
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: STB10NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 115Вт
Струм стока: 5,7А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 392Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 392Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: DIN 41612; socket; male; data; PIN: 48; angled 90°; THT
Connector: DIN 41612; socket; male; data; PIN: 48; angled 90°; THT

224,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,65мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: цифровий; неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8; CMOS; SMD; SSOP20
IC: цифровий; неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8; CMOS; SMD; SSOP20

26,42 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
8
Кількість каналів:
8
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

181,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Трансформатор: литий; 100ВА; 230ВAC; 24В; 4,16А; гвинтовий; IP00
Трансформатор: литий; 100ВА; 230ВAC; 24В; 4,16А; гвинтовий; IP00

2708,44 грн

Виводи:
затискна планка
Вимір D:
77,5мм
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
24В
Недоступний
Резистор: thick film; 12,4Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 12,4Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD

3,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD