Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 53А; Idm: 215А; 520Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: AOK53S60
319,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: AOK53S60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 59нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 53А
Струм стоку в імпульсі: 215А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 7,5м; вилка; 30ВDC; 4А; Жили: 4; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 7,5м; вилка; 30ВDC; 4А; Жили: 4; PUR

1627,60 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Індикація:
LED
Кількість діодів:
3
Кількість пін:
4
Недоступний
Перетворювач: AC/DC; 36Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 12ВDC
Перетворювач: AC/DC; 36Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 12ВDC

1000,38 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
90...264В AC; 120...370В DC
Електричне під'єднування:
THT
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 300мВт,400мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 300мВт,400мВт; ±1%; -55÷155°C

1,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 316кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 316кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; IPAK; туба; Ifsm: 38А
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; IPAK; туба; Ifsm: 38А

50,05 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
IPAK
Недоступний
Запобіжник: плавка; 68мм; автомобільний; гвинт М8; 100А; 32ВDC
Запобіжник: плавка; 68мм; автомобільний; гвинт М8; 100А; 32ВDC

166,62 грн

Виводи:
кільцеві M8
Вид запобіжника:
автомобільний
Кількість в наборі/упаковці:
5шт.
Колір:
жовтий
Недоступний
Резистор: thick film; 576Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD